Toshiba desarrolla mayor ancho de banda FeRAM

Toshiba ha desarrollado una versión de mayor capacidad de su FeRAM (Ferroeléctrico Memoria RAM) que puede enviar y recibir datos a ocho veces la velocidad de su prototipo previamente detallado.

FeRAM es un tipo de memoria relativamente nuevo que combina la velocidad de los chips DRAM, que se utilizan más comúnmente como memoria principal en las computadoras, y la capacidad de retener datos mientras la energía está apagada, como los chips de memoria flash utilizados en teléfonos celulares, cámaras y otros dispositivos. Ha estado en desarrollo durante años, pero aún no ha visto producción a gran escala.

El nuevo chip, que se detallará en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) de esta semana en San Francisco, tiene una capacidad de 16 MB y una lectura / velocidad de escritura de 1.6 GB por segundo. Toshiba detalló por última vez su progreso en FeRAM en 2006 cuando tenía un chip de 4MB que administraba transferencia de datos de 200MBps.

El chip que se detallará en ISSCC esta semana es el último de una serie de prototipos de la compañía, que está trabajando hacia una posible comercialización de la tecnología. La compañía no tiene planes concretos para comenzar a producir en serie los chips y dice que el precio sigue siendo uno de los mayores obstáculos.

Las aplicaciones de destino incluyen memoria de caché en chip en semiconductores. Si bien admite lectura y escritura rápidas y puede mantener su contenido incluso cuando está apagado, la capacidad total del chip, a 16 MB, es mucho menor que la de un chip de memoria flash convencional.