Toshiba Excite tableta de 10.1 pulgadas ultra delgada comentarios y especificaciones CES 2012
Toshiba ha desarrollado una versión de baja potencia y alta velocidad de memoria MRAM que dice que puede reducir el consumo de energía en CPU móviles en dos tercios.
La compañía dijo el lunes que su nueva MRAM (memoria de acceso aleatorio magnetorresistiva) se puede utilizar en teléfonos inteligentes como memoria caché para procesadores móviles, reemplazando la SRAM que se usa ampliamente en la actualidad.
"Recientemente, la cantidad de SRAM utilizada en los procesadores de aplicaciones móviles ha aumentado, y esto ha aumentado uso de energía ", dijo el portavoz de Toshiba, Atsushi Ido.
[Más información: los mejores teléfonos con Android para todos los presupuestos.]"Esta investigación se centra en reducir el consumo de energía y aumentar la velocidad, en lugar de aumentar la cantidad de memoria."
La reducción del consumo de energía en dispositivos móviles es un objetivo para los fabricantes de dispositivos, donde el calor y la vida útil de la batería son las principales preocupaciones para los consumidores. MRAM utilizado para cachés de memoria estará en el orden de varios megabytes de almacenamiento. La tecnología también está siendo desarrollada por Toshiba y otras compañías con una capacidad de almacenamiento mucho mayor como un posible reemplazo de memoria flash y DRAM.
MRAM usa almacenamiento magnético para realizar un seguimiento de los bits, en contraste con la mayoría de las tecnologías RAM actuales, que usan electricidad cargos La tecnología más nueva no es volátil, conserva sus datos incluso sin energía, pero generalmente requiere más corriente para operar a altas velocidades.
Toshiba dijo que su investigación usa la tecnología de torque rotativo, en la que el giro de los electrones se usa para establecer el orientación de sus bits magnéticos, disminuyendo la carga requerida para las escrituras de datos. Los nuevos chips usan elementos que son más pequeños que 30nm.
Ido dijo que no hay un marco de tiempo para cuando su memoria caché MRAM ingrese al mercado.
Por separado, Toshiba también está trabajando con Hynix para desarrollar MRAM para el próximo- productos de memoria de generación. Toshiba ha anunciado que promoverá productos que combinan varias tecnologías de memoria, como MRAM y flash NAND.
El mes pasado, Everspin anunció que había enviado el primer chip MRAM ST (Spin-Torque) del mundo como reemplazo de DRAM. La compañía dijo que considera que los nuevos chips sirven como memoria intermedia en unidades de estado sólido y como memoria de acceso rápido, especialmente en centros de datos.
Toshiba presentará la investigación en la Reunión Internacional de Dispositivos Electrónicos IEEE (IEDM). en San Francisco esta semana, que se centra en nuevas tecnologías de semiconductores. El IEEE, o Instituto de Ingenieros Eléctricos y Electrónicos, es una organización que promueve la investigación en temas principalmente de ingeniería eléctrica.
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