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Tabla de contenido:
- Cargue su teléfono durante 5 horas en 5 minutos
- Snapdragon está listo para ser aún más ágil con el chipset 835
Qualcomm ha anunciado el lanzamiento de Snapdragon 835, el sucesor de Snapdragon 821, que funciona a 2, 35 GHz. Junto con esto, la compañía también anunció su próxima tecnología Quick Charge 4, que permitirá a los usuarios cargar sus dispositivos durante 5 horas de uso en 5 minutos.
La compañía se está enfocando en mejorar la vida útil de la batería y la tecnología de carga, ya que una gran cantidad de compradores buscan una batería mejor y opciones de carga rápida en estos días al comprar un teléfono.
Cargue su teléfono durante 5 horas en 5 minutos
La multinacional con sede en EE. UU. También ha presentado su tecnología Quick Charge 4 junto con el nuevo procesador, que según la compañía le dará a su dispositivo 5 horas de duración de la batería en 5 minutos de carga.
La nueva tecnología de carga funcionará un 20% más rápido, con un 30% más de eficiencia que Quick Charge 3. Esto no significa que su dispositivo también se caliente rápidamente, ya que la nueva tecnología funcionará a temperaturas más bajas de 5 ° C.
Quick Charge 4 también ayudará a su dispositivo a cargar el 50% de la batería en 15 minutos o menos.
Eso es claramente un porcentaje más bajo en comparación con la tecnología de carga OnePlus 'Dash, que ha estado en el mercado durante varios meses.
A continuación se presentan algunas de las características que Quick Charge 4 supera a sus predecesores.
- USB Type-C y USB Power Delivery: en un esfuerzo por proporcionar instalaciones de carga rápida a las masas, Qualcomm estandarizó los adaptadores Quick Charge 4 para que puedan admitir múltiples dispositivos.
- Ahorro de batería: implementado para extender la vida útil de la batería y proteger la batería, el sistema, el cable y el conector midiendo la corriente de voltaje y la temperatura.
- Negociación inteligente para un voltaje óptimo (INOV): este es un algoritmo que ayuda al sistema a determinar la transferencia de potencia óptima mientras maximiza la eficiencia. Esto ayuda a proteger el teléfono del sobrecalentamiento debido a sobretensiones mientras está a cargo.
- Carga dual: esta tecnología permite una carga rápida a través de una disipación térmica eficiente.
Snapdragon está listo para ser aún más ágil con el chipset 835
La compañía se ha asociado con Samsung para desarrollar su próximo SoC insignia. El Snapdragon 835 se construirá en el nodo FinFET de 10 nm de Samsung, que consume un 40 por ciento menos de energía, por lo tanto, le da al procesador una mejora general del rendimiento del 27% en comparación con sus predecesores.
El nodo FinFET de 10 nm también permitirá una eficiencia de área del 30% debido a su tamaño más pequeño en comparación con el nodo de 14 nm utilizado anteriormente.
El tamaño más pequeño no obstaculiza el rendimiento, sino que libera más espacio para que los fabricantes de chips agreguen funciones adicionales o simplemente hagan que el dispositivo sea más delgado.
Snapdragon 835 y Quick Charge 4 de Qualcomm estarán disponibles para fines del segundo trimestre de 2017.
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