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Samsung y Toshiba buscan un gran aumento en las velocidades de destello NAND

Cómo cambiar el tamaño del puntero y el cursor

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Anonim

Samsung Electronics y Toshiba dijeron el miércoles que planean impulsar una nueva especificación destinada a acelerar el flujo de datos en la memoria flash NAND, utilizada para almacenar datos en productos de iPads y iPhones a SSD (unidades de estado sólido) utilizadas en PC y centros de datos.

Los dos mayores fabricantes mundiales de chips de memoria flash NAND se comprometieron a desarrollar memoria flash NAND DDR (Double Data Rate) con una interfaz de 400 megabit por segundo, que es más rápido que los 133Mbps en una especificación anterior para la tecnología y diez veces más rápido que la interfaz de 40Mbps encontrada en los chips flash NAND tradicionales.

La tecnología, llamada DDR en modo alternar, también es un rival de la ONFI (Interfaz Flash NAND Abierta) respaldado por Intel, Micron Technology a y SanDisk. Las dos tecnologías están destinadas a productos de alto rendimiento como SSD, que los patrocinadores de NAND flash algún día esperan reemplazar las unidades de disco duro (HDD).

ONFI puede ofrecer velocidades de 166Mbps y 200Mbps, según información del sitio web de ONFI.

"Ambas implementaciones apuntan a niveles de rendimiento similares", dijo Gregory Wong, director ejecutivo de Forward Insights, investigador de la industria. "ONFI tiene una ventaja porque se estableció antes, pero el DDR de modo alternante es un poco más compatible con la interfaz asíncrona estándar."

Dijo que la tasa de adopción de las dos tecnologías estará influenciada por el suministro, y desde Samsung y Toshiba suministran casi el 70 por ciento del mercado de memoria flash NAND, pueden aprovechar su liderazgo para aumentar la adopción del DDR de modo conmutado.

Jim Handy, analista de Objective Analysis, dijo que las interfaces más rápidas para los chips NAND son importantes debido a su uso creciente para el procesamiento de datos, y no solo música, fotos, videos y unidades USB. El anuncio de Samsung y Toshiba muestra que las dos compañías están abordando problemas de compatibilidad en DDR de modo de alternar, agregó.

En un comunicado de prensa, las compañías dijeron que esperan la adopción continua de teléfonos inteligentes, tabletas y SSD para impulsar la demanda de un una gama más amplia de chips NAND de alto rendimiento, y que las continuas actualizaciones de velocidad llevarán a la creación de nuevos productos basados ​​en memoria flash NAND.

Samsung presentó el mes pasado uno de los primeros SSD que usa flash DAND NAND DDR memoria, un dispositivo de 512 GB con una velocidad máxima de lectura de 250 Megabytes por segundo (MBps) y una velocidad de escritura secuencial de 220MBps.