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Samsung ve los beneficios de tamaño y potencia en la memoria de cambio de fase (PCM), un tipo de memoria que se está reemplazando por la memoria que se usa actualmente en dispositivos como teléfonos móviles.
Durante años, compañía de semiconductores ha estado investigando PCM, que se considera un tipo de memoria experimental. PCM implica material similar al vidrio que cambia los estados a medida que los átomos se reordenan. El estado del material corresponde a los 1s y 0s de la informática, lo que permite su uso para almacenar datos.
Muchas empresas, incluidas Intel e Infineon Technologies, han participado por separado en el desarrollo de PCM durante muchos años, tratando de reducir el tamaño, mientras mejorar la velocidad y la capacidad de almacenamiento. Los proponentes han argumentado que PCM podría eventualmente tomar el lugar de los tipos de memoria flash NAND y NOR que se usan en dispositivos móviles.
Los chips PCM inicialmente encontrarán uso en dispositivos móviles como teléfonos y finalmente proporcionarán una reducción del 30 por ciento en el consumo de energía. Porcentaje de "reducción de espacio" cuando se cambian piezas de memoria de NOR flash a PCM, dijo Harry Yoon, gerente sénior de marketing técnico de Samsung Semiconductor.
Samsung comenzó la producción de chips PCM de 512 megabits, dijo Yoon. La producción de los chips aumentará con la demanda de los clientes.
El desarrollo de PCM genera mucho impulso, pero el tipo de memoria aún se está investigando y necesita años para reemplazar los tipos de memoria existentes en dispositivos móviles, según los analistas. Podría tomar muchos años dejar huella en los dispositivos móviles, dijo Jim Handy, analista de Objective Analysis, una empresa de investigación de mercado de semiconductores.
PCM puede ser factible en un determinado proceso de fabricación, dijo Handy, lo que podría llevar 12 años, él dijo. En este momento, los procesos de producción de memoria están en 34 nanómetros, y el proceso necesita bajar a 10 a 12 nanómetros, dijo Handy.
PCM podría reemplazar inicialmente el flash NOR en dispositivos como teléfonos inteligentes, según los analistas. Comparado con NOR, PCM ofrece un acceso y una resistencia de datos más rápidos, dijo Gregory Wong, analista de Forward Insights. PCM también ofrece un importante ahorro de energía en comparación con los tipos de memoria existentes.
PCM puede tener más dificultades para desalojar el flash NAND, que se usa para almacenar imágenes y películas en dispositivos como teléfonos inteligentes, dijo Handy. NAND podría tener una ventaja de precio suficiente como para dificultar la adopción de PCM.
Toshiba recientemente mostró que podría hacer que NAND flash use el proceso de 10 nanómetros. NAND podría competir con PCM ya que los tamaños de los chips continúan reduciéndose, dijo Handy. Pero el flash NAND llegará al final de su línea en algún momento, que es cuando PCM o las tecnologías de memoria competidoras podrían despegar.
Wong dijo que PCM también tiene que superar el desarrollo y los problemas relacionados con los costos en el corto plazo. Por ejemplo, NOR flash almacena dos bits por celda, mientras que PCM almacena solo un bit, lo que aumenta los costos de desarrollo.
"Van a tener que ser capaces de reducir de forma agresiva la celda de memoria para que sea competitiva en costos con NOR ", dijo Wong.
Sin embargo, el anuncio de producción de Samsung es un hito significativo para el futuro de PCM, dijeron los analistas.
" Lo que parecen estar implicando es que han pasado de ser una curiosidad de laboratorio a algo que creen que se puede producir en masa ", dijo Handy. "Implica que vieron un futuro más prometedor para PCM que otras tecnologías".
Numonyx, una empresa conjunta entre STMicroelectronics e Intel, ya comercializó dispositivos PCM cuyo nombre en código es "Alverstone" en pequeñas cantidades. Samsung y Numonyx anunciaron a principios de este año que las empresas desarrollarían conjuntamente las especificaciones PCM.
Hay otras tecnologías más allá del PCM que se investigan como alternativa a la memoria flash, incluida MRAM (memoria de acceso aleatorio magnetorresistivo) y RRAM (memoria resistiva de acceso aleatorio).
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