Rachel Fortun enquete PIEGES DU KARMA 28 fev 2018
Investigadores han desarrollado una tecnología que podría permitir que las computadoras portátiles se activen instantáneamente desde un estado de apagado sin agotar la vida de la batería de la manera que lo hacen los estados de reposo.
Investigadores de la Universidad construyeron material ferroeléctrico, comúnmente encontrado en tarjetas inteligentes, lo que podría permitir que ciertos transistores retengan información una vez que se corta la energía. Científicos de la Universidad Estatal de Pensilvania, la Universidad de Cornell y la Universidad de Northwestern están involucrados en la investigación.
Los nuevos hallazgos podrían ahorrarles tiempo a los usuarios al arrancar las computadoras portátiles instantáneamente a su estado cuando se apagaban. Por ejemplo, un transistor en la computadora portátil podrá retener el estado de un documento de Word al apagarlo y volverá a cargar instantáneamente el mismo estado al reiniciar.
[Lectura adicional: Nuestras selecciones para las mejores computadoras portátiles de PC]"Se sería instantáneo, lo que significa que tan pronto como vuelva a encenderse, su computadora estaría exactamente en el mismo estado en que estaba cuando la apagó y está lista para la acción ", dijo Darrell Schlom, investigador principal y profesor del departamento de ciencia e ingeniería de materiales en la Universidad Estatal de Pensilvania.
Las capacidades de inicio rápido están habilitadas en computadoras portátiles y en la mayoría de los dispositivos móviles, pero muchas no pueden recrear estados de apagado. Las computadoras portátiles generalmente nunca se reinician a su estado de apagado, a menos que estén en modo de suspensión, lo que agota la energía de la batería. En esencia, los materiales ferroeléctricos podrían despertar a las computadoras portátiles del modo de suspensión, pero sin consumir batería.
La investigación podría allanar el camino para una nueva generación de dispositivos de memoria de menor velocidad y alta potencia, dijo Schlom. Para los usuarios de computadoras portátiles, podría reducir el tiempo de carga de un sistema operativo desde dispositivos de almacenamiento como discos duros. El material ferroeléctrico también podría retener datos en caso de que se pierda energía.
La investigación gira en torno a la construcción de transistores ferroeléctricos, que pueden retener datos en cualquier estado eléctrico, en transistores híbridos. Los materiales ferroeléctricos se encuentran en las tarjetas inteligentes utilizadas hoy en subterráneo, ATM y tarjetas de combustible.
Los investigadores tomaron titanato de estroncio, una variante del material ferroeléctrico utilizado en tarjetas inteligentes, y lo depositaron en silicio, colocándolo en un estado donde podría retener información incluso cuando la energía está apagada. Los nuevos hallazgos cortan las capas intermedias que dificultaban la colocación del material sobre el silicio.
Normalmente, cuando se desconecta la alimentación, los voltajes desaparecen de los transistores, que deben recrearse cuando se conecta la alimentación. Para volver a crearlos, la información relevante se carga desde medios de almacenamiento no volátiles como los discos duros, lo que lleva tiempo. Los transistores ferroeléctricos retienen la magnetización cuando el campo eléctrico se apaga, lo que le permite retener datos.
La tecnología cargará los sistemas operativos de forma diferente a las tecnologías de memoria existentes como DRAM y tecnologías de almacenamiento como discos duros y unidades de estado sólido, dijo Schlom. Los transistores ferroeléctricos difieren conceptualmente en la forma en que se cargan y conservan los datos, dijo Schlom.
Los científicos de Bell Labs se dieron cuenta por primera vez de los beneficios de los transistores ferroeléctricos en 1955, dijo Schlom. Aunque los recientes hallazgos son un gran paso adelante, se necesita investigación adicional para construir un transistor ferroeléctrico real para hacer de la computación instantánea una realidad, dijo Schlom. No pudo proporcionar una línea de tiempo para cuándo se construirían tales transistores.
Los investigadores también incluyen científicos del Instituto Nacional de Estándares y Tecnología, Motorola e Intel. La investigación está financiada por la National Science Foundation y el gobierno de EE. UU.
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